TJ90S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSVI
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 90A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 180W (Tc)
Betriebstemperatur: 175°C
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: DPAK+
Verpackung / Koffer: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Basisproduktnummer: TJ90S04