BSM180C12P2E202 Rohm Semiconductor Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paket: Tray
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 204A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: -
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA
Vgs (Max): +22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1360W (Tc)
Betriebstemperatur: 175°C(TJ)
Montageart: Chassis Mount
Gerätepaket des Lieferanten: Module
Verpackung / Koffer: Module
Basisproduktnummer: BSM180