TPW1R104PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSIX-H
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 120A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Betriebstemperatur: 175°C
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-DSOP Advance
Verpackung / Koffer: 8-PowerVDFN
Basisproduktnummer: TPW1R104