VS-FC420SA10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 435A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 200A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 750µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 17300 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 652W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Chassis Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-227
Verpackung / Koffer: SOT-227-4, miniBLOC
Basisproduktnummer: FC420