G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 157A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 100A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 288 nC @ 15 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9335 pF @ 800 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 567W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247-4
Verpackung / Koffer: TO-247-4
Basisproduktnummer: G3R12M