TP90H180PS Transphorm Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Transphorm
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 900 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 15A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 8 V
Vgs (Max): ±18V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 600 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 78W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220AB
Verpackung / Koffer: TO-220-3
Basisproduktnummer: TP90H180