DMN2005UFG-7 Diodes Incorporated Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 18.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.05W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PowerDI3333-8
Verpackung / Koffer: 8-PowerVDFN
Basisproduktnummer: DMN2005