SSM3K341TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: Automotive, AEC-Q101, U-MOSVIII-H
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1W (Ta)
Betriebstemperatur: 175°C
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: UFM
Verpackung / Koffer: 3-SMD, Flat Leads