SSM3K376R,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSVII-H
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2W (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-23F
Verpackung / Koffer: SOT-23-3 Flat Leads
Basisproduktnummer: SSM3K376