SI7129DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 15 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Betriebstemperatur: -50°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PowerPAK® 1212-8
Verpackung / Koffer: PowerPAK® 1212-8
Basisproduktnummer: SI7129