SI2333DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 12 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V
Vgs (Max): ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-23-3 (TO-236)
Verpackung / Koffer: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basisproduktnummer: SI2333