SSM6K819R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: Automotive, AEC-Q101
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur: 175°C
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 6-TSOP-F
Verpackung / Koffer: 6-SMD, Flat Leads