SI6423DQ-T1-E3 Vishay Siliconix Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 12 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 8.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 400µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±8V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.05W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-TSSOP
Verpackung / Koffer: 8-TSSOP (0.173\ 4.40mm Width)
Basisproduktnummer: SI6423