SI7322DN-T1-E3 Vishay Siliconix Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 50 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PowerPAK® 1212-8
Verpackung / Koffer: PowerPAK® 1212-8
Basisproduktnummer: SI7322