FQT7N10LTF onsemi Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: onsemi
Serie: QFET®
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 1.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-223-4
Verpackung / Koffer: TO-261-4, TO-261AA
Basisproduktnummer: FQT7N10