XK1R9F10QB,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSX-H
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 160A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.92mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 184 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 375W (Tc)
Betriebstemperatur: 175°C
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220SM(W)
Verpackung / Koffer: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basisproduktnummer: XK1R9F10