AS1M025120T ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 65A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 20 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 1000 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 370W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247-4
Verpackung / Koffer: TO-247-4