BSS127H6327XTSA2 Infineon Technologies Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: SIPMOS®
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 21mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 500mW (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PG-SOT23
Verpackung / Koffer: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basisproduktnummer: BSS127