GC11N65F Goford Semiconductor Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Goford Semiconductor
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 11A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
Verlustleistung (max.): 31.3W
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220F
Verpackung / Koffer: TO-220-3 Full Pack