Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 500 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 9.6A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 37W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220FI(LS)
Verpackung / Koffer: TO-220-3 Full Pack
