IRFH6200TRPBF Infineon Technologies Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 150µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10890 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-PQFN (5x6)
Verpackung / Koffer: 8-PowerVDFN
Basisproduktnummer: IRFH6200