RS3L045GNGZETB Rohm Semiconductor Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 4.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 30 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2W (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-SOP
Verpackung / Koffer: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Basisproduktnummer: RS3L