NP80N03MLE-S18-AY Renesas Electronics America Inc Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 80A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta), 120W (Tc)
Betriebstemperatur: 175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220
Verpackung / Koffer: TO-220-3