AUIRF8736M2TR Infineon Technologies Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 27A (Ta), 137A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 85A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6867 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: DirectFET??Isometric M4
Verpackung / Koffer: DirectFET??Isometric M4
Basisproduktnummer: AUIRF8736