IRFH5025TRPBF Infineon Technologies Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Last Time Buy
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 250 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 3.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-PQFN (5x6)
Verpackung / Koffer: 8-PowerVDFN
Basisproduktnummer: IRFH5025