TSM4NB65CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 3.37Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 13.46 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 70W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: ITO-220AB
Verpackung / Koffer: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Basisproduktnummer: TSM4NB65