MCH5837-TL-E onsemi Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 2A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.): 800mW (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 5-MCPH
Verpackung / Koffer: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead