NTH4L160N120SC1 onsemi Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 17.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Vgs (Max): +25V, -15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 111W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247-4L
Verpackung / Koffer: TO-247-4
Basisproduktnummer: NTH4L160