SSM3J35CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: ?-MOSVI
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 100mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Vgs (Max): ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2 pF @ 3 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 100mW (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: CST3
Verpackung / Koffer: SC-101, SOT-883
Basisproduktnummer: SSM3J35