DMN26D0UFB4-7 Diodes Incorporated Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 230mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Vgs (Max): ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14.1 pF @ 15 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 350mW (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: X2-DFN1006-3
Verpackung / Koffer: 3-XFDFN
Basisproduktnummer: DMN26