TW030N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 13mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 18 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2925 pF @ 800 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 249W (Tc)
Betriebstemperatur: 175°C
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247
Verpackung / Koffer: TO-247-3