R6050JNZ4C13 Rohm Semiconductor Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 25A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 15 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 100 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 615W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247G
Verpackung / Koffer: TO-247-3
Basisproduktnummer: R6050