IXTH60N20X4 IXYS Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: IXYS
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 250W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247 (IXFH)
Verpackung / Koffer: TO-247-3
Basisproduktnummer: IXTH60