NTH4L060N065SC1 onsemi Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 47A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Vgs (Max): +22V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 176W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247-4L
Verpackung / Koffer: TO-247-4