Hersteller: Microchip Technology
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 700 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: -
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Vgs (Max): -
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): -
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247-3
Verpackung / Koffer: TO-247-3
Basisproduktnummer: MSC090
