N0412N-S19-AY Renesas Electronics America Inc Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta), 119W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220
Verpackung / Koffer: TO-220-3
Basisproduktnummer: N0412N-S19