G06N06S Goford Semiconductor Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Goford Semiconductor
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 8A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V
Verlustleistung (max.): 2.1W
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-SOP
Verpackung / Koffer: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)