TK20J60W,S1VE Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 20A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 165W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-3P(N)
Verpackung / Koffer: TO-3P-3, SC-65-3
Basisproduktnummer: TK20J60