RCX330N25 Rohm Semiconductor Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 250 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 33A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: -
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Vgs (Max): ±30V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220FM
Verpackung / Koffer: TO-220-3 Full Pack
Basisproduktnummer: RCX330