VP2206N3-G Microchip Technology Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Microchip Technology
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 640mA (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 740mW (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-92-3
Verpackung / Koffer: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Basisproduktnummer: VP2206