FBG10N05AC EPC Space, LLC Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: EPC Space, LLC
Serie: -
Paket: Tray
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 233 pF @ 50 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): -
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 4-SMD
Verpackung / Koffer: 4-SMD, No Lead