IPT60R102G7XTMA1 Infineon Technologies Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??G7
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 23A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 400 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 141W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PG-HSOF-8-2
Verpackung / Koffer: 8-PowerSFN
Basisproduktnummer: IPT60R102