AUIRFSL6535 International Rectifier Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: International Rectifier
Serie: Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 300 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 210W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO262-3-901
Verpackung / Koffer: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA