G15N06K Goford Semiconductor Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Goford Semiconductor
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 15A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 30 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 40W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TO-252
Verpackung / Koffer: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63