G30N03D3 Goford Semiconductor Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Goford Semiconductor
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 30A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.): 24W
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-DFN (3.15x3.05)
Verpackung / Koffer: 8-PowerVDFN