G10P03 Goford Semiconductor Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Goford Semiconductor
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 10A
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.): 20W
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-DFN (3.15x3.05)
Verpackung / Koffer: 8-PowerVDFN