TP65H480G4JSG-TR Transphorm Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Transphorm
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 3.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.4A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 8 V
Vgs (Max): ±18V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 13.2W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 3-PQFN (5x6)
Verpackung / Koffer: 3-SMD, Flat Lead
Basisproduktnummer: TP65H480