NTBGS4D1N15MC onsemi Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 150 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 20A (Ta), 185A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 316W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: D2PAK (TO-263)
Verpackung / Koffer: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Basisproduktnummer: NTBGS4