IXTA3N100D2HV IXYS Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: IXYS
Serie: Depletion
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 3A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
FET-Funktion: Depletion Mode
Verlustleistung (max.): 125W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TO-263HV
Verpackung / Koffer: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basisproduktnummer: IXTA3