IRFR430BTM Fairchild Semiconductor Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Fairchild Semiconductor
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 500 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 3.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TO-252-3 (DPAK)
Verpackung / Koffer: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63